证券之星消息，根据天眼查APP数据显示豪威集团（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有宽安全工作区的功率MOSFET器件及其制备工艺”，专利申请号为CN202211620658.3，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本申请实施例提供的一种具有宽安全工作区的功率MOSFET器件及制备工艺，包括：相互连接的第一栅极和第二栅极；衬底上表面设置有外延层，外延层中设置有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽侧壁，第二沟槽侧壁和外延层上表面设置有栅氧化层，第一沟槽和第二沟槽中填充有第一多晶硅以形成第一栅极；外延层中设置有第一掺杂区，第一掺杂区中设置有第二掺杂区，第一沟槽和第二沟槽从上到下贯穿设置在所述第一掺杂区和第二掺杂区中，外延层上表面设置有第二多晶硅以形成第二栅极，第二多晶硅设置在相邻第一掺杂区之间区域的上方，且第二多晶硅设置在栅氧化层上表面；本发明实现一种具有良好FBSOA性能，同时保证低导通阻抗的功率MOSFET器件。

今年以来豪威集团新获得专利授权25个，较去年同期增加了92.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了28.43亿元，同比增8.42%。

通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了48家企业，参与招投标项目12次；财产线索方面有商标信息63条，专利信息223条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可18个。

数据来源：天眼查APP

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