九峰山实验室工艺平台薄膜团队工程师操作机台进行工艺调试与优化。

湖北日报讯（记者马文俊）半导体制造又有“根技术”在湖北获得突破。5月19日从九峰山实验室获悉，实验室化合物半导体中试平台-工艺平台深度联动国产设备厂商，首次在8英寸平台上实现原子层沉积金属钼的制备。

简单来说，制造芯片就像盖一栋精密的摩天大楼，要在一层一层往上铺金属薄膜和绝缘层。其中，金属薄膜的质量直接决定了芯片跑得快不快、稳不稳、省不省电。

随着芯片尺寸越做越小，传统互连材料在纳米尺度下开始“水土不服”，它们的电阻率会急剧升高，容易发热并失效。而金属钼凭借低电阻、高稳定性的天然优势，成了理想替代品。

此次九峰山实验室的突破在于，依托国产原子层沉积设备，在400℃“低温”条件下，稳定制备出高性能金属钼薄膜。它在电阻率上远低于传统工艺的表现，均匀性好、覆盖性强、结构紧密。

更难得的是，这套工艺从源头上杜绝了氟残留风险，提升了器件可靠性，同时省去制备中间过渡层步骤，工序更短、成本更低。该工艺还与国产设备深度适配，从设备到配方都实现了自主可控，不再受制于人。

九峰山实验室相关负责人表示，目前该工艺在多个关键指标上都达到了量产要求，可赋能国产存储芯片、逻辑芯片等领域先进制程的开发。