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飞荣达申请碳基膜结构及其制造方法专利,整体结构兼顾防护性、导电性与实用性

国家知识产权局信息显示,深圳市飞荣达科技股份有限公司申请一项名为“一种碳基膜结构及其制造方法”的专利,公开号CN121335083A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明涉及碳基膜成型技术领域,公开了一种碳基膜结构及其制造方法,铜箔层设置于导电与绝缘组件的表面,碳基膜设置于铜箔层的表面,碳基膜的尺寸小于铜箔层的尺寸,第一麦拉层覆盖于碳基膜的表面,第一麦拉层的边缘与铜箔层相连接,以将碳基膜包裹;通过将碳基膜的尺寸小于铜箔和第一麦拉层,可使得碳基膜被铜箔层与第一麦拉层包裹;该结构的全包裹设计实现碳基膜全方位防护,保障电子元件精密触点与电路清洁;铜箔层增强导电性,导电与绝缘组件兼顾功能需求,整体结构兼顾防护性、导电性与实用性,适配无线充等电子产品的高精度使用场景;同时铜箔的塑形能力,可提高产品不同层面立体加工。

天眼查资料显示,深圳市飞荣达科技股份有限公司,成立于1993年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58186.3431万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市飞荣达科技股份有限公司共对外投资了25家企业,参与招投标项目39次,财产线索方面有商标信息25条,专利信息374条,此外企业还拥有行政许可98个。

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来源:市场资讯

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