据俄罗斯媒体CNews报道，俄罗斯已研制出用于生产130纳米制程光刻机的第三阶段设计验收工作。该阶段的验收证书已于2026年8月7日签署。

△俄罗斯此前研发的350nm光刻机

俄罗斯130纳米光刻机完成设计验收

报道指出，该130nm分辨率光刻机由“泽列诺格勒纳米技术中心”（Zelenograd Nano Technology Center，ZNTC）与白俄罗斯“普拉纳尔”（Planar）公司合作开发，主要用于将集成电路拓扑图形投影转移到直径200毫米（8英寸）的半导体晶圆上，并在制造超大规模集成电路（VLSI）时在晶圆上进行多重投影复制，设计制程为130纳米。

在工作框架内，ZNTC制造了两台波长为193纳米的准分子激光器原型，同时还制造了光掩模、测试结构、用于在工件波长上测量和控制光刻及像差特性的物镜测试台等，并完成了基础工艺的调试。根据计划，ZNTC应在2026年3月交付第三阶段，但实际在2026年8月才交付。目前该装置已完成基础工艺的调试。

最新的验收证书还指出，俄罗斯自研的这款能够生产130nm制程芯片的光刻机具有“独特特征，因为其通过使用包括自主研发的193纳米准分子激光器作为光源以及其他国产零部件和国产半导体材料，达到了所需的分辨率”。

“目前仅制造了130纳米分辨率的步进式光刻机的原型，”ZNTC负责人阿纳托利·科瓦廖夫向CNews表示。“还需要进行初步测试，建立基础工艺。”他表示，2027年公司计划与用户签订批量供应合同。

需要指出的是，ZNTC在2025年初就已经完成首台分辨率为350纳米的光刻机生产，该设备已移交给 Element Group旗下的“行业解决方案”公司。同时，ZNTC还开发了设计规范为150纳米的电子束光刻设备。

制造成本约650万美元

根据曝光的文件显示，该装置的开发由白俄罗斯“普拉纳尔”公司负责（费用为1.496亿卢布）。除了装置本身，该公司还负责机械部件的制造（费用为1.95亿卢布）、零件和原型调试（费用超过1亿卢布）。激光器由“拉萨德”（Lassard）公司开发，费用为5亿卢布。累计支付给“普拉纳尔”和“拉萨德”的费用略超过10亿卢布。

据科瓦廖夫称，ZNTC在项目中负责装置的整体开发、测试台和工艺台的结构设计、物镜计算，以及工艺的建模和开发。

俄罗斯工贸部为整个光刻机项目研发拨款了57亿卢布（约合6827万美元）。而第三阶段试验设计工作的成本就超过了24.6亿卢布。

除了支付给“普拉纳尔”和“拉萨德”的10亿卢布的研发费用外，材料和组件还花费了9.129亿卢布。劳务报酬为9510万卢布。

最后，光刻机本身的制造成本估计为5.422亿卢布（约650万美元），两个激光器成本分别为4900万卢布和4600万卢布。

作为对比，ASML在1999年就推出了能够生产130纳米制程芯片的ArF光刻机PAS 5500/950，当时的定价约为500万至600万美元。

对俄罗斯意义重大

这对于俄罗斯来说，130纳米分辨率的步进式光刻机原型的研发完成并通过验收，显然是一个新的突破，此前他们不具备这类光刻机的生产能力。此前全球能够生产此类光刻机的企业仅有荷兰的ASML、日本的佳能和尼康、中国的上海微电子。

“创建国产130纳米设计规范光刻机原型是俄罗斯微电子行业的重要阶段，”Strategy Partners工业与技术实践项目负责人亚历山大·米哈伊洛夫向CNews表示。“这证明了拥有创建此类设备的自主工程能力，并开启了发展更小规范（90纳米、65纳米）产品线的道路。”

与此同时，米哈伊洛夫提醒，从原型到产线运营还有很长的路要走：需要在真实运行环境中确认装置的技术和可靠性特性，检查其与现有工艺线的兼容性。“在最初阶段，可能只是有限批量（几台装置），随着工艺的成熟和稳定需求的出现，可以扩大规模，”他指出。

为扩大规模，可能需要在供给端和需求端提供综合国家支持。包括优惠融资和启动量产的成本补贴，长期保障俄罗斯企业的需求（包括在行业发展计划文件层面固定供应量），支持（补贴）设备的采购和引进，米哈伊洛夫提醒道。

对于俄罗斯半导体产业而言，200毫米硅晶圆上的130纳米规范是主要工作基础，SNDGLOBAL控股公司项目经理康斯坦丁·拉波特科表示。正是这一级别的设备满足了汽车电子、能源、工业控制器、通信和特种系统的关键需求。

俄罗斯国内实际需求容量与现有及在建的200毫米晶圆工厂（包括Mikron、NM-Tech、Element Group旗下企业及专业科研院所的平台）相关。此前采购的同类外国设备在俄罗斯国内的总保有量约为25-40台，拉波特科指出。

据他称，考虑到这些设备的磨损和产线扩展计划，俄罗斯微电子的总需求在2030-2032年前可估计为15-25台。

编辑：芯智讯-浪客剑