国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“静电防护电路、静电防护器件及形成方法”的专利，公开号CN122269805A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供了一种静电防护电路、静电防护器件及形成方法，包括：P型衬底；依次位于P型衬底上的N型埋层和N型深阱区；位于N型深阱区内的间隔设置的N型阱区；位于N型阱区内的N+区；位于两个N型阱区之间的N型深阱区内依次间隔设置的第一P+区、第二P+区和第一P+区，第一P+区、第二P+区和第一P+区以及两个N+区之间均通过浅沟槽隔离结构隔开；位于第二P+区下方并且位于两个N型阱区之间的N型深阱区内的N型轻掺杂区；N+区和第一P+区均连接VDD端，第二P+区均连接VSS端。本发明在提高静电防护器件器件的泄放静电电流能力的同时保留了高维持电压和消除了回滞效应，提高了多指结构的导通均一性和闩锁免疫性。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7839条，此外企业还拥有行政许可461个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯